在电子设计中，NMOS与PMOS组合而成的互补开关电路（CMOS）被广泛应用于信号切换场景。然而，在最近的一个项目中，该电路出现了异常失效现象，引起了团队的高度关注🔍。

首先，我们检查了电路的设计参数。从理论上讲，NMOS和PMOS应该具备对称特性，以确保开关状态的稳定性。但实际测试显示，当输入电压变化时，NMOS导通电阻Rds(on)明显高于理论值，而PMOS则表现出较大的漏电流问题。这种不对称性直接导致了输出信号失真，甚至触发了保护机制切断电源⚡️。

其次，通过进一步排查发现，失效的根本原因可能在于制造工艺偏差。例如，NMOS和PMOS晶体管的阈值电压Vth存在差异，且寄生电容分布不均。此外，PCB布局中的高频干扰也可能加剧了问题的复杂性ckt。

为解决这一难题，我们需要优化电路设计，比如引入额外的匹配网络，同时严格控制生产流程中的关键指标。希望本次分析能为后续类似问题提供参考💡！